loading...
MoS2的设定
Published in:2021-12-30 |

1.MoS2有不同的构型

在Materials-Project里包括两种A-B(编号:MoS2_mp-2815)与A-A(编号:MoS2_mp-1018809)

2.单层MoS2的设定

一种方法可以加真空层,另一种方法可以直接比较数字大小删除就好,因为他是分两层的,z方向不同数值可以辨识所在的层
如:

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
&SYSTEM
ibrav = 0
A = 3.19032
nat = 6
ntyp = 2
/
CELL_PARAMETERS {alat}
1.000000000000000 0.000000000000000 0.000000000000000
-0.500000000000000 0.866025403784439 0.000000000000000
0.000000000000000 0.000000000000000 4.663803021124211
ATOMIC_SPECIES
Mo 95.96000 Mo_PSEUDO
S 32.06750 S_PSEUDO
ATOMIC_POSITIONS {crystal}
Mo 0.333333333333333 0.666666666666667 0.250000000000000 1
Mo 0.666666666666667 0.333333333333333 0.750000000000000 2
S 0.666666666666667 0.333333333333333 0.355174000000000 3
S 0.333333333333333 0.666666666666667 0.855174000000000 4
S 0.666666666666667 0.333333333333333 0.144826000000000 5
S 0.333333333333333 0.666666666666667 0.644826000000000 6

如要删掉第一行的Mo它对应的S应该是第3行和第5行,因此直接可以去掉

3.计算SOC

1)赝势的选择:选择带有rel的赝势

2)对称性要打开:打开对称性,设置为.true.,目的是使得不同k与-k不等价

3)自旋轨道耦合要考虑:设置lspinorb为.true.

Prev:
Linux中软连接的使用
Next:
NaWu-First-Blog
catalog
catalog