1.MoS2有不同的构型
在Materials-Project里包括两种A-B(编号:MoS2_mp-2815)与A-A(编号:MoS2_mp-1018809)
2.单层MoS2的设定
一种方法可以加真空层,另一种方法可以直接比较数字大小删除就好,因为他是分两层的,z方向不同数值可以辨识所在的层
如:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
| &SYSTEM ibrav = 0 A = 3.19032 nat = 6 ntyp = 2 / CELL_PARAMETERS {alat} 1.000000000000000 0.000000000000000 0.000000000000000 -0.500000000000000 0.866025403784439 0.000000000000000 0.000000000000000 0.000000000000000 4.663803021124211 ATOMIC_SPECIES Mo 95.96000 Mo_PSEUDO S 32.06750 S_PSEUDO ATOMIC_POSITIONS {crystal} Mo 0.333333333333333 0.666666666666667 0.250000000000000 1 Mo 0.666666666666667 0.333333333333333 0.750000000000000 2 S 0.666666666666667 0.333333333333333 0.355174000000000 3 S 0.333333333333333 0.666666666666667 0.855174000000000 4 S 0.666666666666667 0.333333333333333 0.144826000000000 5 S 0.333333333333333 0.666666666666667 0.644826000000000 6
|
如要删掉第一行的Mo它对应的S应该是第3行和第5行,因此直接可以去掉
3.计算SOC
1)赝势的选择:选择带有rel的赝势
2)对称性要打开:打开对称性,设置为.true.,目的是使得不同k与-k不等价
3)自旋轨道耦合要考虑:设置lspinorb为.true.